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本发明提供了一种底部U型栅围栅晶体管器件，其中，包括衬底、第一源区、第一漏区、第一控制栅以及第一沟道层；其中，第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第一沟道层表征了最接近衬底的沟道层；第一控制栅表征了最接近衬底的控制栅；第二源区，形成于衬底与...
该专利属于上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。

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