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本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；位于衬底上的第一介质层，第一介质层包括相对设置且沿突出于衬底平面的方向向上延伸的第一侧壁和第二侧壁，以及邻近第一侧壁的第一表面及邻近第二侧壁的第二表面。第一沟道层...
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