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一种基于键合工艺的三层连续面型ＭＥＭＳ变形镜的制作工艺，主要包括在ＳＯＩ晶片上表面干法刻蚀出释放孔，将ＳＯＩ晶片中间氧化层进行部分释放，对ＳＯＩ晶片下表面进行湿法刻蚀，并在另一块基片（硅片或玻璃上）上沉积金属作为电极结构，最后将该基片与ＳＯ...
该专利属于中国科学院光电技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院光电技术研究所授权不得商用。

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