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一种自偏置的d36模式磁电传感器及其制造方法，包括压电材料、磁致伸缩材料和基座；基座上设置有凹槽，若干压电材料设置在凹槽内，相邻的压电材料平行放置；压电材料极化方向与基座的长度方向垂直且相邻的压电材料的极化方向相反；磁致伸缩材料设置在压电材...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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