一种自偏置的d36模式磁电传感器及其制造方法技术

一种自偏置的d36模式磁电传感器及其制造方法，包括压电材料、磁致伸缩材料和基座；基座上设置有凹槽，若干压电材料设置在凹槽内，相邻的压电材料平行放置；压电材料极化方向与基座的长度方向垂直且相邻的压电材料的极化方向相反；磁致伸缩材料设置在压电材料的顶面，且与基座长度方向平行，磁致伸缩材料和基座将压电材料夹持在中间。本发明专利技术所提出的自偏置的d36模式磁电传感器，无需提供直流偏置磁场即可使用，大大降低了器件的能耗，扩展了器件使用范围。表现出高磁电耦合系数，能够检测微弱信号的交流磁场。自偏置磁电传感器在弱磁场检测方面显示出巨大的优势。测方面显示出巨大的优势。测方面显示出巨大的优势。

【技术实现步骤摘要】
一种自偏置的d36模式磁电传感器及其制造方法


[0001]本专利技术属于传感器
，特别涉及一种自偏置的d36模式磁电传感器及其制造方法。

技术介绍

[0002]磁传感器可实现磁场、电流等关键物理量的测量，在各个领域有着大规模的应用。磁传感器已经发展成现代传感器产业的一个分支，被广泛应用于工业、国防、科技、医疗等领域。磁传感器种类丰富，目前已有的磁传感器类型包括磁电式传感器、磁通门传感器、霍尔传感器、磁阻传感器、磁共振磁力仪和超导量子干涉仪(SQUID)。其中，磁阻传感器的功耗和体积虽小，但分辨率低，且低频下的灵敏度难以提升，探测极限在1nT左右；磁通门传感器的灵敏度和分辨率均优于磁阻传感器，但其对于磁芯性能以及线圈的绕制要求都较高，同时磁通门传感器的低频灵敏度的提升也是一个重要技术难题；光泵磁传感器的分辨率较高，但体积较大、结构复杂且价格昂贵；SQUID是目前分辨率最高的磁传感器，可达fT量级，同样存在体积较大且价格昂贵的问题，还必须在超低温的液氦环境下工作。
[0003]传统的磁电传感器主要由磁致伸缩材料和压电/铁电材料构成，磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自偏置的d36模式磁电传感器，其特征在于，包括压电材料(1)、磁致伸缩材料(2)和基座(3)；基座(3)上设置有凹槽，若干压电材料(1)设置在凹槽内，相邻的压电材料(1)平行放置；压电材料(1)极化方向与基座(3)的长度方向垂直且相邻的压电材料(1)的极化方向相反；磁致伸缩材料(2)设置在压电材料(1)的顶面，且与基座(3)长度方向平行，磁致伸缩材料(2)和基座(3)将压电材料(1)夹持在中间。2.根据权利要求1所述的一种自偏置的d36模式磁电传感器，其特征在于，压电材料(1)包括上电极面(4)和下电极面(5)；上电极面(4)和下电极面(5)外接导线。3.根据权利要求1所述的一种自偏置的d36模式磁电传感器，其特征在于，压电材料(1)和基座(3)之间，以及压电材料(1)和磁致伸缩材料(2)之间采用黏合剂连接。4.根据权利要求1所述的一种自偏置的d36模式磁电传感器，其特征在于，压电材料(1)为立方体结构，压电材料(1)的个数为两个。5.根据权利要求1所述的一种自偏置的d36模式磁电传感器，其特征在于，压电材料(1)为单晶或者多晶陶瓷材料，具体为AlN、石英、LiNbO3、BaTiO3、ZnO、Pb(Zr，Ti)O3、Pb(Mg，Nb)O3‑
PbTiO3、Pb(Zn,Nb)O3‑
PbTiO3或BiScO3‑
PbTiO3中的一种。6.根据权利要求1所述的一种自偏置的d36模式磁电传感器，其特征在于，磁致伸缩材料(2)是具有磁致伸缩效应的合金或氧化物或者它们与聚合物复合形成的磁致伸缩复合材料，为长条多层薄片状；具有磁致伸缩效应的合金或氧化物包括Metglas、铽镝铁合金[Terfen...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，胡忠强，吴金根，乔佳诚，徐奕维，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：