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本发明提供一种阻变存储器及其制备方法，在研磨后的膜层上增加了一层金属层；实现了隔离研磨后的膜层的平整度对阻变层的影响，达到使得阻变层尽量少受到环境因素的影响，从而改善阻变存储器的电性和工艺的稳定性技术效果。善阻变存储器的电性和工艺的稳定性技...该专利属于昕原半导体（杭州）有限公司昕原半导体（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昕原半导体（杭州）有限公司昕原半导体（深圳）有限公司授权不得商用。