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本发明涉及一种低温快速沉积硫化铜纳米薄膜的方法，属于功能薄膜材料的制备技术领域。目前现有的制备硫化铜薄膜的方法，对沉积条件要求较高，需要高温加热，对沉积衬底有很大的局限性，制备时间较长，效率低，不利于工业生产。本发明制备硫化铜薄膜的方法，采...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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