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本发明公开了一种制备全同手性单壁碳纳米管阵列的方法。该方法包括如下步骤：１）通入碳源进行生长反应得到单壁碳纳米管，同时使得到的单壁碳纳米管游离漂浮于基底表面；２）关闭所述碳源结束所述生长反应，同时将所述生长反应的体系进行降温，并同时向所述生...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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