一种制备全同手性单壁碳纳米管阵列的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备全同手性单壁碳纳米管阵列的方法。该方法包括如下步骤：１）通入碳源进行生长反应得到单壁碳纳米管，同时使得到的单壁碳纳米管游离漂浮于基底表面；２）关闭所述碳源结束所述生长反应，同时将所述生长反应的体系进行降温，并同时向所述生长反应的体系中通入惰性气体或还原性气体，使所述单壁碳纳米管着落于所述基底上，得到全同手性单壁碳纳米管阵列。本发明专利技术方法制备的全同手性碳纳米管阵列的产率可高达９６．５％。另外，本发明专利技术方法操作简单，成本低廉、省时省力。因此本发明专利技术方法将会有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备全同手性单壁碳纳米管阵列的方法，包括如下步骤：１）通入碳源进行生长反应得到单壁碳纳米管，同时使得到的单壁碳纳米管游离漂浮于基底表面；２）关闭所述碳源，结束所述生长反应，将所述生长反应的体系进行降温，并同时向所述生长反应的体系中通入惰性气体，使所述单壁碳纳米管着落于所述基底上，得到全同手性单壁碳纳米管阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张锦，姚亚刚，戴小川，刘忠范，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]