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本发明公开一种高速采样器电路、一种高速采样器及采样方法，该抗辐射加固高速采样器电路，包括PMOS管M1，PMOS管M2，PMOS管M3，PMOS管M6，PMOS管M11，PMOS管M9，NMOS管M4，NMOS管M7，NMOS管M5，NMO...
该专利属于西安微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安微电子技术研究所授权不得商用。

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