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本发明公开了一种半导体元件，其包括衬底，第一介质层、第二介质层和第三介质层，依序堆叠在衬底上。源极结构，设置在第一介质层中。漏极结构，设置在第三介质层中。通道结构，贯穿第二介质层，且与源极结构和漏极结构直接接触。栅极结构，设置在通道结构的两...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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