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本发明公开了钙钛矿杂化薄膜及其制备方法和钙钛矿光电器件，该钙钛矿杂化薄膜包括：(200)晶面择优取向的立方相硫化铅纳米片和钙钛矿。该钙钛矿杂化薄膜结构稳定性较强、缺陷态较少、结晶度较高，可制备得到具有较高光电转化效率和长期使用稳定性的钙钛矿...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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