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本发明提供了一种栅间氧化层的形成方法和屏蔽栅沟槽型器件的形成方法，应用于半导体技术领域。由于本发明所提供的形成方法，在利用刻蚀工艺形成高度为第一高度的屏蔽栅多晶硅之后，其并没有像现有技术直接进行氧化工艺以形成所述栅间氧化层，而是先将第一高度...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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