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本发明提供一种半导体器件的金属层布局方法，用于对形成有MOS结构的半导体器件的金属层中的金属连接路径进行增强，以降低基体上的衬底有源区与源/漏极金属接触区之间的电阻，其包括：获取基体上的所有隔离阱区域的隔离阱获取步骤；在金属层中，获取在所有...
该专利属于东芯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东芯半导体股份有限公司授权不得商用。

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