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本发明公开了一种分立式栅极结构的制备方法，包括：提供半导体膜层结构，第一区域内的栅绝缘层的顶面高于第二区域内的栅绝缘层的顶面，并且第一区域和第二区域内的栅极层表面齐平；利用第一工艺气体对第一区域和第二区域内的栅极层进行第一刻蚀步以形成栅极，...
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