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本公开提供了一种调控P型GaAs自旋轨道耦合的方法，包括：在衬底上沿[001]晶向生长P型GaAs材料；沿[110]晶向切割得到条形P型GaAs样品；将条形P型GaAs样品的两端固定，在其中间任意一点施加沿[001]晶向的应力，使其在该应力...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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