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本发明公开了一种高温稳定TiN薄膜及其制备方法，该制备方法包括：步骤1，对基体进行打磨，抛光处理；将基体清洗；将基体烘干处理；将体置于磁控溅射仪的中央样品台上，在靶基座上装上Ti靶、Cr靶和Si靶，关闭溅射室，进行真空抽取；当真空达到背景真...
该专利属于西安热工研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安热工研究院有限公司授权不得商用。

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