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本发明能够高精度地测定半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺所产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压，气体分析装置对半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺而产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压进行分析，并具备：气体池，...
该专利属于株式会社堀场制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社堀场制作所授权不得商用。

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