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本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底和第一位线立柱；第一位线立柱位于衬底上，其包括沿衬底的厚度方向依次叠置的第一介电层、第一绝缘层及第一接触层，第一绝缘层与衬底相邻；其中，第一绝缘层具有第一预设厚度，且第一预设厚度关联于...
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