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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，在衬底内形成若干个沟槽，所述沟槽内形成有栅极，所述沟槽与所述栅极之间形成有栅介质层，所述栅介质层延伸覆盖所述沟槽两侧的衬底；进行各向异性的第一刻蚀工艺，去除所述衬底上的部分厚度的栅介质层；以及，进行各向...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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