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本发明涉及一种三维双向自选通存储器件及其制备方法。该存储器件包括：基板、条状第一堆叠结构、条状第二堆叠结构、环形双向选通单元层、电绝缘层和柱状电极；所述条状第一堆叠结构包括交替叠置的第一绝缘层和第一平面电极层，所述条状第二堆叠结构包括交替叠...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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