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本发明公开了新材料与微电子技术交叉领域一种非易失性阻变存储器结构及其制备方法。该结构包括硅衬底，以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅电介质层、钛粘附层、铂底电极层、第一氧化锌电介质层、钨纳米晶电荷存储层、第二氧化锌电介质层以及顶电极材料层，通...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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