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本发明一种锰掺杂锑化镓单晶的化学腐蚀方法，其中包括以下步骤：步骤１：取一单晶片体，使用抛光粉对单晶片体进行机械抛光；步骤２：再将机械抛光后的单晶片体使用试剂进行化学抛光；步骤３：对机械抛光和化学抛光后的单晶片体，进行化学腐蚀。...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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