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本发明涉及一种微波衰减器材料及其制备方法，特别涉及一种ＡｌＮ－Ｍｏ微波衰减器材料及其制备方法，属于微波电子真空技术领域，其包括金属相Ｍｏ：２０～２５ｖｏｌ．％；烧结助剂ＣａＦ２：２～５ｖｏｌ．％；其余为介质相ＡｌＮ；采用浆料包覆法制备ＡｌＮ...
该专利属于北京有色金属研究总院所有，仅供学习研究参考，未经过北京有色金属研究总院授权不得商用。

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