一种微波衰减器材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种微波衰减器材料及其制备方法，特别涉及一种ＡｌＮ－Ｍｏ微波衰减器材料及其制备方法，属于微波电子真空技术领域，其包括金属相Ｍｏ：２０～２５ｖｏｌ．％；烧结助剂ＣａＦ２：２～５ｖｏｌ．％；其余为介质相ＡｌＮ；采用浆料包覆法制备ＡｌＮ－Ｍｏ复合粉体，再经过单向轴压成型，然后进行冷等静压成型，得到ＡｌＮ－Ｍｏ复合生坯；将生坯置于ＺｒＯ２或ＡｌＮ坩埚中进行氮气氛下常压烧结，即得到ＡｌＮ－Ｍｏ复合块体材料。本发明专利技术方法降低了烧结温度，缩短了烧结时间，提高了金属－介质复合微波衰减材料的烧结致密度，利于批量生产；可获得高致密度、无缺陷及均匀性、一致性好的金属－介质微波衰减器材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及一种A1N-MO微波衰减 器材料及其制备方法，是应用于真空条件下的绿色环保微波衰减器材料及制备技术，属于 微波电子真空

技术介绍
微波真空器件广泛应用于雷达、电子对抗、卫星通讯、导弹发射等国防和重点工程 领域，被誉为电子系统的“心脏”。目前，微波真空器件正向大功率、高效率、高增益、宽频带 及长寿命方向发展，但随着功率、增益及带宽等的提高，微波真空器件的稳定性越来越差。 为解决这一问题，需要在微波真空器件内放置微波衰减器，以吸收反射波，并有选择地抑制 各种模式的杂波，防止微波真空器件的自由震荡。因此，微波衰减器是真空器件内关键部件 之一，其性能直接关系到微波真空器件的稳定性、输出功率及可靠性。大功率的微波电子真空器件，由于需要吸收较大的功率，对衰减材料提出了严格 的要求，主要体现在如下几个方面1)材料在微波频段的介电常数高(、> 20)、介电损耗 高(tan 6 ^ 0. 1)，这是实现衰减材料高衰减量的关键之一 ；2)基体具有良好的导热性，以 使其吸收的微波能量能很快地传到管外；3)能承受足够大的功率，在大功率下，衰减材料 的基本性能(包括衰本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波衰减器材料，其特征在于：其包括金属相Ｍｏ：２０～２５ｖｏｌ．％；烧结助剂ＣａＦ↓［２］：２～５ｖｏｌ．％；其余为介质相ＡｌＮ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董桂霞，马书旺，于红，毛昌辉，杨志民，杜军，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]