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本发明涉及一种纳米柱森林的加工方法，其步骤包括：１）准备并清洗所选用的衬底；２）在衬底的表面上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光和显影，最后形成光刻胶图形；３）对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成一层图形化的纳米点状结构；...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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