一种纳米柱森林的加工方法技术

本发明专利技术涉及一种纳米柱森林的加工方法，其步骤包括：１）准备并清洗所选用的衬底；２）在衬底的表面上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光和显影，最后形成光刻胶图形；３）对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成一层图形化的纳米点状结构；４）用纳米点状结构为掩模，各向异性刻蚀衬底，形成初始纳米柱；５）在初始纳米柱表面保形沉积薄膜；６）通过各向异性刻蚀薄膜，在初始纳米柱的周围形成侧墙；７）以包裹侧墙的初始纳米柱为掩模，各向异性刻蚀衬底，形成纳米柱；８）去除纳米柱表面上的侧墙残留，得到图形化的纳米柱森林结构。使用本发明专利技术制作的图形化纳米柱森林可广泛应用于新能源器件、生物医学检测器件、微流控器件、电子器件以及纳米压印中。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米柱森林的加工方法，其步骤包括：　１）准备并清洗所选用的衬底；　２）在所述衬底的表面上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶依次进行前烘、曝光和显影，最后形成光刻胶图形；　３）对所述光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在所述衬底上形成一层图形化的纳米点状结构；　４）用所述纳米点状结构为掩模，各向异性刻蚀所述衬底，形成初始纳米柱；　５）在所述初始纳米柱表面保形沉积薄膜；　６）通过各向异性刻蚀所述薄膜，在所述初始纳米柱的周围形成侧墙；　７）以包裹所述侧墙的所述初始纳米柱为掩模，各向异性刻蚀所述衬底，形成纳米柱；　８）去除所述纳米柱表面上的侧墙残留，得到图形化的纳米柱森林结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛海央，吴文刚，吴迪，郝一龙，王阳元，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]