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半导体装置和形成包括可以改善装置可靠性和/或装置功能的多晶硅层的半导体装置的方法。示例装置可以包括：宽带隙半导体层结构，其包括具有第一导电类型的漂移区域；位于半导体层结构的上部中的多个栅极沟槽，每个栅极沟槽具有底表面、第一侧壁、第二侧壁和上...
该专利属于沃孚半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过沃孚半导体公司授权不得商用。

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