温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及表面具有增强拉曼散射效应的活性基底及其制法和应用。本发明的活性基底是用化学刻蚀的方法在单晶硅基片上制备出硅纳米线阵列，在硅纳米线阵列的顶端制备出一种具有显著增强拉曼散射效应的形貌呈网状的银纳米薄膜，从而得到由分布在单晶硅基片表面垂...
该专利属于中国科学院理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院理化技术研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。