表面具有增强拉曼散射效应的活性基底及其制法和应用制造技术

本发明专利技术涉及表面具有增强拉曼散射效应的活性基底及其制法和应用。本发明专利技术的活性基底是用化学刻蚀的方法在单晶硅基片上制备出硅纳米线阵列，在硅纳米线阵列的顶端制备出一种具有显著增强拉曼散射效应的形貌呈网状的银纳米薄膜，从而得到由分布在单晶硅基片表面垂直定向站立排列的硅纳米线阵列，及在垂直定向站立排列的硅纳米线阵列顶端的形貌呈网状的银纳米薄膜构成的表面具有增强拉曼散射效应的活性基底；所述的网状的银纳米薄膜是由直径大小为１５０～３５０ｎｍ的银纳米颗粒构成。本发明专利技术的活性基底可检测出溶液中浓度为１０－１７ｍｏｌ／Ｌ的罗丹明６Ｇ分子，实现了溶液中超低浓度罗丹明６Ｇ分子的检测。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种表面具有增强拉曼散射效应的活性基底，其特征是：所述的活性基底是由分布在单晶硅基片表面垂直定向站立排列的硅纳米线阵列，及在垂直定向站立排列的硅纳米线阵列顶端的形貌呈网状的银纳米薄膜构成；所述的网状的银纳米薄膜是由直径大小为１５０～３５０ｎｍ的银纳米颗粒构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：师文生，王晓天，佘广为，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]