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本发明提供一种基于（Ｂｉ２Ｏ３）１－ｘ（Ｙ２Ｏ３）ｘ固体电解质薄膜的非挥发性记忆元件，所述非挥发性记忆元件包括衬底、底电极、（Ｂｉ２Ｏ３）１－ｘ（Ｙ２Ｏ３）ｘ固体电解质薄膜和顶电极，其中（Ｂｉ２Ｏ３）１－ｘ（Ｙ２Ｏ３）ｘ固体电解质薄膜夹在底...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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