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本发明的目的在于提供半导体装置，能够抑制分离区域的反转层的形成，抑制从高压电路区域向分离区域、晶体管元件区域的漏电流。一种半导体装置，其具有设置在半导体衬底上的高压电路区域、具有第1主电极、电位比第1主电极低的第2主电极和控制电极的晶体管元...
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