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本发明公开了一种内循环式碳化硅晶体生长炉,涉及碳化硅晶体生长炉技术领域,包括炉体,炉体内设有石墨坩埚,石墨坩埚由共轴设置的外坩埚和内坩埚组成,内坩埚的内部形成上升通道,外坩埚和内坩埚之间形成回流通道,内坩埚的底部周向上设有多个回流孔;上炉盖...该专利属于芜湖予秦半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过芜湖予秦半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种内循环式碳化硅晶体生长炉,涉及碳化硅晶体生长炉技术领域,包括炉体,炉体内设有石墨坩埚,石墨坩埚由共轴设置的外坩埚和内坩埚组成,内坩埚的内部形成上升通道,外坩埚和内坩埚之间形成回流通道,内坩埚的底部周向上设有多个回流孔;上炉盖...