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本发明提供一种改善NMOS、PMOS栅极高度差的方法，提供衬底，衬底上至少包括PMOS区域和NMOS区域，PMOS区域和NMOS区域上均形成有栅极叠层以及位于栅极叠层侧壁上的侧墙；栅极叠层由自下而上依次堆叠的伪栅多晶硅层、栅极氮化层、栅极氧...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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