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提供了一种电阻式随机存取存储器(ReRAM)器件。该ReRAM器件包括第一电极、与第一电极接触的第一电阻结构、与第一电阻结构接触的介电层、以及与介电层接触的第二电阻结构。第二电阻结构包括电阻材料层和高功函数金属芯。ReRAM器件还包括与第二...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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