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本申请提供一种端面耦合器结构及其形成方法，所述端面耦合器结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、埋氧层和顶硅层，所述顶硅层中形成有硅波导结构，所述硅波导结构被包覆层包覆，所述包覆层中包括第一折射率调制区和第二折射率调制区；所述第一折...
该专利属于北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司授权不得商用。

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