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本发明公开了一种集成沟道二极管的碳化硅槽栅MOSFET器件及制造方法，器件包括第一沟槽、第二沟槽、第一导电类型衬底、外延层、源区和沟道二极管源区、第二导电类型阱区、沟道二极管阱区。本发明于第一沟槽中形成栅极电极，于第一沟槽和第二沟槽中形成沟...
该专利属于南京第三代半导体技术创新中心所有，仅供学习研究参考，未经过南京第三代半导体技术创新中心授权不得商用。

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