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本发明涉及一种金属Ｓｎ掺杂ＭｇＢ↓［２］超导体及高温快速制备方法。超导体结构式为（Ｍｇ↓［１．０２］Ｂ↓［２］）↓［１－ｘ］Ｓｎ↓［ｘ］，其中ｘ＝０．０１～０．０５。将Ｍｇ粉、Ｂ粉和Ｓｎ粉按原子比充分混合，在２～１０ＭＰａ的压力下压制成圆柱...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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