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公开了一种用于形成半导体器件的方法和半导体器件。该方法包括：在SiC半导体本体的内部区和边缘区中形成具有多个沟槽的沟槽结构，使得沟槽结构从半导体本体的第一表面穿过第二半导体层延伸到第一半导体层中，并且使得沟槽结构在第二半导体层中形成多个台面...
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