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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，用于解决半导体器件内部寄生电容的问题，所述半导体器件包括：器件功能区、两个以上的电极结构、两个以上的电极焊盘和屏蔽层，其中，所述两个以上的电极结构分别形成在所述器件功能区内部；所述两...
该专利属于徐州致能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过徐州致能半导体有限公司授权不得商用。

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