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本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构至少包括：衬底；至少两个第一类型半导体器件，设置在所述衬底上，每个所述第一类型半导体器件包括栅极和掺杂区，所述掺杂区设置在所述栅极两侧的所述衬底中，且所述掺杂区包括共...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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