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具有交联鳍布置的垂直场效应晶体管制造技术
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文档序号:38335028
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一种半导体结构及其制造方法,包括:半导体衬底,具有最上表面;以及位于半导体衬底的最上表面上的鳍结构,鳍结构包括垂直于半导体衬底的最上表面延伸的n个第一区域以及在n个第一区域中的每个第一区域之间延伸并连接n个第一区域中的每个第一区域并且平行于...
该专利属于国际商业机器公司所有,仅供学习研究参考,未经过国际商业机器公司授权不得商用。
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