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本发明公开了具有多参数老化补偿的SiC MOSFET结温测量方法，通过实验分别建立阈值电压、开通延迟时间和导通电阻的温敏特性模型；搭建SiC MOSFET驱动与参数采集系统；在不同时间段采集三个电参数，即离线状态下的阈值电压、开通过程中的开...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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