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具有Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］缓冲层的硅衬底Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜磁控溅射制备方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有技术通常采用分子束外延、金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石、氮化镓衬底上制备Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜。本...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

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