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本申请属于半导体技术领域，提供了一种MOM电容及其制备方法、高频集成电路、芯片，在第一金属层与第二金属层之间形成第一层间绝缘层，并在第二金属层上形成与第一层间绝缘层接触的第二层间绝缘层，其中，通过由氟碳杂质共掺杂氧化硅和磷硼杂质共掺杂氧化硅...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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