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一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；在该基底中形成一字元线沟槽；共形地在该字元线沟槽中形成一第一绝缘层，并共形地在该第一绝缘层上形成一第一阻障层；共形地在该第一阻障层上形成一第一成核层；对该第一成核层执行一后处理，其中该后...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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