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一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，包括已形成单个或多个ＰＮ结的硅太阳电池基片，其特征是在硅太阳电池基片受光面上的栅线与硅太阳电池基片之间的焊点处设置透明导电膜，该透明导电膜沉积在硅太阳电池基片受光面表面。本发明利用透明导电膜和焊点收集太阳...
该专利属于珈伟太阳能（武汉）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珈伟太阳能（武汉）有限公司授权不得商用。

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