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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括衬底，多个有源区，浅沟渠隔离，以及多个埋藏式闸极。有源区设置在衬底的表面上，其中各有源区包含半导体层，半导体层与衬底之间具有第一界面。浅沟渠隔离设置在衬底上并环绕有源区。埋藏式闸极埋设在...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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