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本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、数据存储装置及数据读写装置，该半导体结构包括：衬底，衬底内形成有若干个分立的有源区；沟槽，位于有源区内；第一栅极结构，位于沟槽内，具有第一施加电压；第二栅极结构，位于沟槽内，且位于第一栅极结构上方，具有...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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