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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有锗调制层的电吸收调制器及其成型方法；调制器包括：衬底层、形成于衬底层的顶部的掺杂层、与掺杂层顶部中心连接的缓冲层、形成于缓冲层的顶部的调制层及形成于掺杂层的顶部自由区域及内侧面、缓冲层的侧面、调制层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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